Rancang bangun penguat osilator pada Frekuensi 13,56 MHz

Haq, Moh Husni Nasrul (2024) Rancang bangun penguat osilator pada Frekuensi 13,56 MHz. Sarjana thesis, UIN Sunan Gunung Djati Bandung.

Preview	Text (COVER) 1_cover.pdf Download (164kB) | Preview
Preview	Text (ABSTRAK) 2_abstrak.pdf Download (467kB) | Preview
Preview	Text (DAFTAR ISI) 3_daftarisi.pdf Download (532kB) | Preview
Preview	Text (BAB I) 4_bab1.pdf Download (2MB) | Preview
	Text (BAB II) 5_bab2.pdf Restricted to Registered users only Download (2MB) | Request a copy
	Text (BAB III) 6_bab3.pdf Restricted to Registered users only Download (1MB) | Request a copy
	Text (BAB IV) 7_bab4.pdf Restricted to Registered users only Download (1MB) | Request a copy
	Text (BAB V) 8_bab5.pdf Restricted to Registered users only Download (2MB) | Request a copy
	Text (BAB VI) 9_bab6.pdf Restricted to Registered users only Download (298kB) | Request a copy
	Text (DAFTAR PUSTAKA) 10_daftarpustaka.pdf Restricted to Registered users only Download (951kB) | Request a copy
	Text (LAMPIRAN) 11_lampiran.pdf Restricted to Repository staff only Download (1MB) | Request a copy

Abstract

Perkembangan teknologi wireless selain untuk komunikasi juga bisa digunakan untuk transfer daya listrik tanpa kabel atau dikenal dengan istilah Wireless Power Transfer (WPT). Salah satu contoh dari WPT adalah teknologi Wireless Power Charging (WPC). Sistem WPC terdiri dari beberapa bagian, salah satunya yaitu osilator untuk pembangkitan sinyal sesuai dengan frekuensi yang dibutuhkan. Output osilator memerlukan sistem penguat daya atau amplifier, karena belum cukup untuk ditransmisikan pada sistem WPC. Amplifier yang dirancang yaitu kelas E dengan menggunakan beberapa komponen yaitu transistor mosfet IRF620 dan IRF510,resistor,kapasitor dan induktor. Berdasakan simulasi yang telah dilakukan, transistor mosfet yang cocok digunakan yaitu jenis IRF510. Selain itu juga dilakukan tahap optimasi komponen lainnya pada rangkaian amplifier kelas E dan menghasilkan output daya sebesar 26,565dBm, tegangan puncak sebesar 16,779V dan nilai efisiensi 100%. Sedangkan setelah fabrikasi mendapatkan nilai daya sebesar -1,1dBm, tegangan output sebesar 5,2V dan efisiensi -60,2%.

Actions (login required)

View Item